| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IXFH66N20Q |
TO-247-3 | IXYS | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IXFH66N20Q参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 包装数量：30 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：66A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：105nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3700pF @ 25V 功率 - 最大值：400W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 存储器FT93C66A-ITR-T Card EdgeFMC12DRES-S13 DIPKAJ06SGGR 陶瓷电容器K470J15C0GF53H5 存储器AT28HC256F-12JC Card EdgeGMC20DRXS-S734 D-SubMDM01-C21 LED - 高亮度MX6AWT-A1-0000-0009F8 FET - 单APT10M25BVRG PMIC - 稳压MC33375D-3.0R2 |
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